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VBP185R04 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBP185R04是由VBsemi品牌推出的单N沟道功率MOSFET,具有850V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门-源电压(VGS)和3.5V的阈值电压(Vth)。采用Plannar技术制造,封装为TO247。该产品适用于各种功率电子应用,具有可靠性和高效能量转换特性。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBP185R04
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道功率MOSFET
- 漏极-源极电压(VDS):850V
- 门-源电压(VGS):30V(正负)
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):2700
- 最大漏极电流(ID):4A
- 技术:Plannar
- 封装:TO247

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 工业电源模块:由于其高漏极-源极电压和较大的漏极电流,VBP185R04适用于工业电源模块,如变频器、直流电源和UPS。
2. 高压直流输电系统:在高压直流输电系统中,该MOSFET可用于开关电源,实现电能的稳定传输和控制。
3. 医疗设备:在医疗设备中,VBP185R04可用于X射线机、医用激光设备等高功率模块的功率开关控制。
4. 太阳能逆变器:作为太阳能逆变器中的功率开关元件,该产品可以实现太阳能电能的高效转换和输出。
5. 汽车电子系统:在汽车电子系统中,该MOSFET可用于驱动电机、控制发电机等高功率电子模块,提高汽车的性能和效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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