产品简介：
型号：VBP185R02
品牌：VBsemi
封装：TO247
特点：单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，具有850V的漏源电压（VDS），30V的门源电压（VGS），3.5V的阈值电压（Vth），最大持产品简介：
型号：VBP185R02
品牌：VBsemi
封装：TO247
特点：单N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术，具有850V的漏源电压（VDS），30V的门源电压（VGS），3.5V的阈值电压（Vth），最大持续漏极电流2A（ID），低通态电阻为6500mΩ（VGS=10V）。VBP185R02产品在电源管理、照明、医疗和汽车电子等领域的广泛应用。