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VBP1803 产品详细

产品简介:

VBP1803是VBsemi推出的单通道N型MOSFET器件,具有高漏极-源极电压、低漏极-源极电阻和高漏极电流等特点,适用于高功率、高压的应用环境。它可广泛应用于各种功率电子系统中。

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产品参数:

参数:
- 架构: 单N型
- 最大漏极-源极电压(VDS): 80V
- 栅-源电压(VGS): ±20V
- 阈值电压(Vth): 3.5V
- VGS=4.5V时的漏极-源极电阻(mΩ): 4
- VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ): 3
- 最大漏极电流(ID): 215A
- 技术: Trench
封装: TO247

领域和模块应用:

举例说明:
1. **电动汽车控制模块**:
VBP1803可用作电动汽车控制模块中的电机驱动电路的功率开关,帮助实现电动汽车的加速、减速和调速功能。

2. **工业变频器模块**:
在工业变频器模块中,VBP1803可用于功率逆变器中的开关电路,实现对电机转速的精确控制,提高设备的效率和稳定性。

3. **太阳能逆变器模块**:
作为太阳能逆变器模块中的功率开关器件,VBP1803能够有效地将太阳能电池板收集的直流电转换为交流电,为家庭和工业用电提供清洁能源。

4. **电源服务器模块**:
在电源服务器模块中,VBP1803可用于电源开关和电流限制器,保障服务器设备的稳定供电和过载保护。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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