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VBP17R15S 产品详细

产品简介:

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VBsemi VBP17R15S 是一款单N沟道场效应晶体管,具有高达700V的漏极-源极电压(VDS)和15A的漏极电流(ID)。采用SJ_Multi-EPI技术制造,具有可靠的性能和稳定性。封装为TO247,适用于多种应用场合。

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产品参数:


详细参数说明:
- 型号:VBP17R15S
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管
- 漏极-源极电压(VDS):700V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):350
- 漏极电流(ID):15A
- 工艺技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO247

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 高功率电源模块:由于其高漏极电压和漏极电流,适用于高功率开关电源和直流-直流变换器模块。
2. 工业驱动器模块:可用于工业驱动器中的电机驱动和电源管理模块,提高系统的可靠性和效率。
3. 太阳能逆变器:适用于太阳能逆变器中的开关模块,转换太阳能电池板的直流输出为交流电。
4. 电动车辆控制器:用于电动车辆控制器中的功率开关模块,实现电动车辆的高效驱动和控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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