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VBP17R11S 产品详细

产品简介:

VBsemi的VBP17R11S是一款单N沟道场效应管,具有700V的漏极-源极电压,30V的门极-源极电压,3.5V的阈值电压。该产品采用SJ_Multi-EPI技术,封装为TO247。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):700V
- 门极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):450
- 最大漏极电流(ID):11A
- 技术:SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

该产品适用于以下领域和模块:
- 高功率电源模块:可用于工业设备、电动汽车充电桩等需要高功率转换的场合,提供稳定的电力输出。
- 高效能太阳能逆变器:适用于太阳能发电系统中的逆变器模块,能够提供高效率的能量转换。
- 工业驱动器:可用于工业自动化设备中的电机驱动器,如变频器和电机控制器,提供可靠的功率转换和控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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