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VBP17R11 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBP17R11是VBsemi品牌的Single N型MOSFET,采用Plannar技术制造。该产品具有700V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO247,适用于多个领域和模块,包括高功率电源、电动车辆、风力发电和工业自动化等,并在这些领域中发挥重要作用。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):700V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):1050mΩ
- 最大漏极电流(ID):11A
- 技术:Plannar
- 封装:TO247

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 高功率电源模块:由于VBP17R11具有较高的漏极-源极电压和漏极电流,适用于高功率电源模块,如工业设备、电力系统和变频器。
2. 电动车辆电驱动系统:该产品的高电压和电流特性使其适用于电动车辆电驱动系统,能够提供高效的功率转换和可靠的性能。
3. 风力发电控制模块:在风力发电系统中,VBP17R11可用于控制和调节发电机的输出功率,确保系统稳定运行。
4. 工业自动化设备:在工业自动化设备中,该产品可用于控制和调节各种电机和执行器,实现自动化生产线的高效运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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