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VBP17R07 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi的VBP17R07是一款单N沟道功率MOSFET,具有700V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS,正负值),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用Plannar技术,封装为TO247。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):700V
- 门-源电压(VGS,正负值):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:1400mΩ
- 最大漏极电流(ID):7A

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 工业电机驱动器:VBP17R07具有较高的漏极-源极电压和适中的漏极电流,适用于设计工业电机驱动器,如风扇、泵等。
2. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,需要处理高电压和电流的功率MOSFET,VBP17R07可用于设计太阳能逆变器的功率开关电路。
3. 工业自动化控制系统:由于VBP17R07具有较高的电压和电流承受能力,可用于设计工业自动化控制系统中的功率开关模块,如电机控制、电炉控制等。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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