VBP17R06 - VBsemi MOS管制造商

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VBP17R06是由VBsemi公司生产的单N沟道场效应晶体管（MOSFET），采用Plannar技术。该器件具有700V的漏源电压（VDS），30V的门源电压（VGS），门源电压阈值为3.2V。其在10V门源电压下的导通电阻（RDS(on)产品简介：
VBP17R06是由VBsemi公司生产的单N沟道场效应晶体管（MOSFET），采用Plannar技术。该器件具有700V的漏源电压（VDS），30V的门源电压（VGS），门源电压阈值为3.2V。其在10V门源电压下的导通电阻（RDS(on)）为1900mΩ，最大导通电流（ID）为6A。该产品封装形式为TO247。适用于多个领域和模块，在电源、汽车、太阳能和照明等领域都具有广泛的应用前景。

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产品参数：

详细参数说明：
- 产品型号：VBP17R06
- 品牌：VBsemi
- 类型：单N沟道场效应晶体管（MOSFET）
- 技术：Plannar
- 漏源电压（VDS）：700V
- 门源电压（VGS）：30V
- 门源电压阈值（Vth）：3.2V
- 门源电压为10V时的导通电阻（RDS(on)）：1900mΩ
- 最大导通电流（ID）：6A
- 封装：TO247

领域和模块应用：

适用领域和模块示例：
1. 高压直流电源模块：VBP17R06具有较高的漏源电压和导通电流，适用于高压直流电源模块中的开关电源和逆变器模块，用于工业、通信设备等领域的稳定供电。
2. 电动汽车电机驱动：在电动汽车的电机驱动系统中，该MOSFET可以用于电机控制模块，实现电动汽车的高效能量转换和驱动控制，提高车辆的性能和能效。
3. 太阳能逆变器：适用于太阳能逆变器中的功率开关模块，将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，应用于太阳能发电系统中，实现可再生能源的利用。
4. 工业照明系统：在工业照明系统中，VBP17R06可以用作LED驱动器模块中的开关器件，实现LED灯具的控制和调光功能，提高照明系统的效率和稳定性，降低能耗成本。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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