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VBP17R04 产品详细

产品简介:

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VBsemi的VBP17R04是一款单N沟道场效应晶体管,采用Plannar技术制造。它具有700V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),和3.5V的阈值电压(Vth)。该产品封装为TO247,具有4A的漏极电流(ID)和2600mΩ的导通电阻(VGS=10V)。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBP17R04
- 品牌:VBsemi
- 结构:单N沟道场效应晶体管
- VDS(漏极-源极电压):700V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- 导通电阻(VGS=10V):2600mΩ
- 漏极电流(ID):4A
- 技术:Plannar
- 封装:TO247

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电力电子模块:VBP17R04的高漏极电压和较低的漏极电流使其适用于电力电子模块,如直流电源和逆变器,用于工业控制和电力传输。
2. 太阳能逆变器:该产品可用于太阳能逆变器中,转换太阳能电池板产生的直流电为交流电,以供应给家庭和商业用电。
3. 电动汽车充电器:VBP17R04的高压耐受性和稳定性使其成为电动汽车充电器的理想选择,用于快速和高效地充电电动汽车电池。
4. 高压开关模块:由于其高压承受能力,该产品适用于高压开关模块,用于电力传输和配电系统中的开关设备,确保电力系统的稳定运行。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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