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VBP175R07 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBP175R07是VBsemi品牌的Single N型MOSFET,采用Plannar技术制造。该产品具有750V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。其封装为TO247,适用于各种高功率电子设备和应用。包括电力电子、高压直流输电、工业电源和电动汽车充电等,并在这些领域中发挥重要作用。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):750V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻(mΩ):1700mΩ
- 最大漏极电流(ID):7A
- 技术:Plannar
- 封装:TO247

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电力电子变换器:由于VBP175R07具有较高的漏极电压和电流特性,适用于电力电子变换器,如电网逆变器和交流调速器。
2. 高压直流输电系统:该产品可用于高压直流输电系统的开关和调节器模块,确保电力传输的高效和稳定。
3. 工业高压电源模块:在工业设备中,VBP175R07可用于工业高压电源模块,提供稳定可靠的电力供应。
4. 高压电动汽车充电桩:在高压电动汽车充电桩中,该产品可用于控制充电电流和电压,保证充电过程的安全和高效。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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