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VBP175R06 产品详细

产品简介:

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VBP175R06是VBsemi公司推出的Single N型MOSFET,具备高性能和可靠性。该产品采用Plannar技术,具有750V的漏极-源极电压(VDS),6A的漏极电流(ID),并在VGS=10V时具有约1700mΩ的导通电阻。封装为TO247,适用于多种应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:

- 产品型号:VBP175R06
- 品牌:VBsemi
- MOSFET类型:Single N
- VDS(漏极-源极电压):750V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:约1700mΩ
- ID(漏极电流):6A
- 技术:Plannar
- 封装:TO247

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

1. 高压直流输电系统:VBP175R06适用于高压直流输电系统中的开关电路和功率控制,确保电能的高效传输和分配。
2. 工业电力系统:在工业电力系统中,VBP175R06可作为开关管用于电源管理和电力控制,保证系统的稳定运行和高效转换。
3. 风力发电控制器:在风力发电控制器中,VBP175R06可以作为开关管,实现风力发电机组的电流控制和电压稳定。
4. 电动汽车驱动系统:作为电动汽车驱动系统中的关键元件,VBP175R06能够承受高压和高电流,提高电动汽车的能效和性能。

以上领域和模块需要具备高性能和可靠性的功率器件来确保系统的正常运行,而VBP175R06正是满足这些需求的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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