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VBP175R05 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi的VBP175R05是一款单N沟道功率MOSFET,具有750V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS,正负值),以及3.5V的阈值电压(Vth)。采用Plannar技术,封装为TO247。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):750V
- 门-源电压(VGS,正负值):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:2200mΩ
- 最大漏极电流(ID):5A

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 工业电力系统:由于VBP175R05具有较高的漏极-源极电压和适中的漏极电流,适用于工业电力系统中的功率开关模块,如电力变压器、电力传输系统等。
2. 汽车电动化:在汽车电动化领域,需要使用高压、高电流的功率MOSFET来控制电动机、电池管理系统等,VBP175R05可用于设计这些应用的功率控制电路。
3. 液冷散热系统:VBP175R05适用于液冷散热系统中的功率开关模块,如工业激光器、电焊机等,提供高效的功率调节和控制功能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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