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AM2390N-T1-PF-VB 产品详细

产品简介:

产品简介详

**AM2390N-T1-PF-VB MOSFET**

AM2390N-T1-PF-VB是一款单N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装。它具有高达200V的漏源电压 (VDS) 能力,适合中高压应用环境。该器件采用沟槽技术,尽管导通电阻较高,但在低功率和低电流应用中能够提供稳定的性能。

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产品参数:

详细的参数说明

- **封装类型**: SOT23-3
- **晶体管配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 200V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 1400mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 0.6A
- **技术类型**: Trench(沟槽)

领域和模块应用:

应用领域和模块举例

**低功率电源**:
AM2390N-T1-PF-VB适用于低功率电源管理,如电池驱动的小型便携设备和电池管理系统中的电压监控电路。

**传感器接口**:
在传感器接口电路中,AM2390N-T1-PF-VB可用于信号放大和传感器数据处理,如温度传感器和湿度传感器的信号调理。

**LED驱动**:
用于低功率LED灯的电流调节和驱动,AM2390N-T1-PF-VB能够提供稳定的电流输出和高效的电能转换。

**汽车电子**:
在汽车电子系统中,作为保护电路和电源开关,AM2390N-T1-PF-VB可用于小功率电动车辆控制单元和车内电子设备的电源管理。

综上所述,AM2390N-T1-PF-VB适用于需要中高压但低功率和低电流要求的应用环境,特别适合于低功率电源、传感器接口、LED驱动和汽车电子等领域的电子系统设计。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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