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AM2362N-VB 产品详细

产品简介:

AM2362N-VB MOSFET 产品简介

AM2362N-VB 是一款单 N-Channel MOSFET,采用 SOT23-3 封装。它支持最大 60V 的漏源电压 (VDS) 和 ±20V 的栅源电压 (VGS),阈值电压 (Vth) 为 1.7V。采用 Trench 技术,该 MOSFET 在 4.5V 和 10V 栅源电压下的导通电阻 (RDS(ON)) 分别为 33mΩ 和 30mΩ。

最大漏极电流 (ID) 为 5.5A,适合用于低功耗和中功率应用。

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产品参数:

AM2362N-VB MOSFET 详细参数说明

- **型号**: AM2362N-VB
- **封装**: SOT23-3
- **配置**: 单 N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 33mΩ @ VGS = 4.5V
- 30mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**: 5.5A
- **技术**: Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块示例

1. **电源管理**:
AM2362N-VB 可以用作低压电源管理中的开关元件,如电源开关、稳压器和DC-DC转换器中的功率开关,提供高效的电能转换和功率管理。

2. **便携式设备**:
由于其小封装和低功耗特性,适合用于便携式设备如智能手机、平板电脑等的电池管理电路,延长电池使用时间并提高设备效率。

3. **消费电子产品**:
在消费电子产品中,如电视机、音响系统等设备的电源管理和电路保护中,确保设备的稳定运行和安全性。

4. **汽车电子**:
在汽车电子系统中,如车载充电器、电动窗控制器等模块中的电源开关和电路保护功能,提供可靠的电能管理和保护。

5. **工业控制**:
适用于工业自动化控制系统中的电源开关和电路保护,确保设备的稳定性和可靠性,适合于各种工业环境中的应用需求。

AM2362N-VB MOSFET 的设计特性使其在低至中功率应用中具有广泛的应用潜力,特别适合需要小型封装、低导通电阻和高效能转换的电子产品和系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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