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AM2339P-T1-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**AM2339P-T1-VB** 是一款单 P 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 SOT23-3 封装。该器件由 VBsemi 公司生产,利用先进的 Trench 技术,适用于低压电源管理和开关电路应用。

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产品参数:

详细参数说明

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单 P 沟道
- **漏源电压 (VDS)**:-20V
- **栅源电压 (VGS)**:12V(±V)
- **阈值电压 (Vth)**:-0.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 80mΩ @ VGS = 2.5V
- 65mΩ @ VGS = 4.5V
- 60mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:-4A @ VGS = 10V
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

AM2339P-T1-VB MOSFET 可以在以下领域和模块中得到应用:

1. **移动设备充电管理**:适用于手机和平板电脑等移动设备的充电管理电路,帮助提供高效率和稳定的电源转换。

2. **低功耗电子设备**:在低功耗电子设备中,如传感器网络和便携式电子产品中作为电源开关,帮助延长电池寿命。

3. **DC-DC 变换器**:用于DC-DC变换器中的开关控制,支持各种电源转换和电压调节应用。

4. **便携式医疗设备**:在便携式医疗设备中,如便携式监护仪器和医疗诊断设备中,作为电源管理和电路控制的关键组件。

5. **汽车电子**:在汽车电子系统中,如车载充电器和低功耗电子模块中,用作电源开关和电压调节器件。

AM2339P-T1-VB 具有低压下的低导通电阻和高效率的特性,适合需要小型化、低功耗和长时间稳定运行的电子设备和系统。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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