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AM2336N-T1-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

AM2336N-T1-VB是一款高性能单N沟道MOSFET,采用了Trench技术制造,适合于需要高电流和低导通电阻的应用场合。

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产品参数:

详细参数说明

- **封装形式(Package)**: SOT23-3
- **配置(Configuration)**: 单N沟道(Single-N-Channel)
- **漏源电压(VDS)**: 30V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
- 33mΩ @ VGS = 4.5V
- 30mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID)**: 6.5A
- **技术(Technology)**: Trench

领域和模块应用:

适用领域和模块

AM2336N-T1-VB适用于以下领域和模块:

1. **移动设备**:
- 在手机、平板电脑等便携式设备中,AM2336N-T1-VB可以用作电源管理单元,控制和调节电池电流和电压,提供高效能耗和长续航时间。

2. **电源转换器**:
- 在DC-DC变换器和开关电源中,AM2336N-T1-VB作为开关管,能够实现高效率的电能转换和稳定的电源输出,广泛应用于各类电子设备中。

3. **车载电子**:
- 在汽车电子系统中,如车载充电器、电动车辆电池管理系统等,AM2336N-T1-VB用于电流控制和电压稳定,确保车辆电子设备的安全运行和高效能耗。

4. **工业自动化**:
- 在工业控制系统中,AM2336N-T1-VB可以用于开关电源、电机驱动器和变频器等设备,实现精准的电能控制和高效能耗,提升生产效率和设备可靠性。

AM2336N-T1-VB因其高电流承载能力、低导通电阻和稳定的性能,在各种需要高效能耗和高电流驱动的应用中都具有重要的应用价值。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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