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VBP175R02 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBP175R02是一款单N沟道场效应晶体管,采用Plannar技术制造。它具有750V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),和3.5V的阈值电压(Vth)。该产品封装为TO247,具有2A的漏极电流(ID)和6500mΩ的导通电阻(VGS=10V)。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBP175R02
- 品牌:VBsemi
- 结构:单N沟道场效应晶体管
- VDS(漏极-源极电压):750V
- VGS(栅极-源极电压):±30V
- Vth(阈值电压):3.5V
- 导通电阻(VGS=10V):6500mΩ
- 漏极电流(ID):2A
- 技术:Plannar
- 封装:TO247

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源逆变器:由于VBP175R02具有较高的漏极电压和适度的漏极电流,适用于电源逆变器模块,用于将直流电转换为交流电,用于太阳能发电系统和电动汽车充电器等领域。
2. 高压开关模块:该产品可用于高压开关模块,用于电力传输和配电系统中的开关装置,确保电力系统的稳定运行。
3. 电源管理模块:VBP175R02适用于电源管理模块,用于调节和控制电力系统中的电压和电流,确保电子设备的稳定运行。
4. LED照明系统:该产品可用于LED照明系统中的电源驱动模块,用于为LED灯提供稳定的电力输出,实现高效的照明效果。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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