产品简介：
VBsemi的VBP16R67S是一款高性能的单N型功率MOSFET，具有优异的电性能和稳定性。该器件采用SJ_Multi-EPI技术制造，可靠性高，适用于各种工业和汽车应用。

详细参数说明：
1. 电压特性：VBP16R67S具有600V的最大漏极-源极电压（VDS），可适应各种高电压应用场景。
2. 电流特性：最大漏极电流（ID）达到67A，能够提供大电流输出，满足高功率需求。
3. 开关特性：具有低导通电阻（34mΩ），VGS=10V时，适用于高频开关模块，实现高效能的功率转换。