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VBP16R47SFD 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBP16R47SFD是一款单 N 型MOSFET,适用于高压、高功率的电路应用。采用SJ_Multi-EPI技术,具有稳定可靠的性能。适用于要求高性能和可靠性的电力电子系统和工业控制领域。

VBP16R47SFD具有高性能、高功率和稳定性的特点,适用于电力电子、工业控制、高性能电源和汽车电子等领域的各种模块设计和制造。

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产品参数:

参数:
- 类型:单 N 型 MOSFET
- 最大漏电压(VDS):600V
- 最大门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 额定电流(ID):47A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO247

详细参数说明:
该产品的最大漏电压为600V,最大额定电流为47A,导通电阻为65mΩ(VGS=10V)。采用TO247封装,具有良好的散热性能。

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电力电子模块:该产品适用于设计和制造各种类型的电力电子模块,如逆变器、整流器等,用于电力变换和调节。
2. 工业电机控制模块:在工业控制领域中,该产品可用于设计和制造各种类型的电机控制模块,如电机驱动器、变频器等,用于工业生产和自动化设备。
3. 高性能电源模块:在高性能电源领域中,该产品可用于设计和制造高性能电源模块,如高功率电源、直流电源等,用于通信设备和工业生产。
4. 汽车电子模块:在汽车电子领域中,该产品可用于设计和制造各种类型的汽车电子模块,如发动机控制单元、电动车辆控制器等,以提供车辆的动力和控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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