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VBP16R34SFD 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi的VBP16R34SFD是一款TO247封装的N沟道场效应晶体管,采用SJ_Multi-EPI技术制造。它具有600V的漏极-源极电压(VDS),34A的漏极电流(ID),30V的门源电压(VGS),3.5V的门阈电压(Vth),以及80mΩ的导通电阻(VGS=10V)。这款产品适用于中功率应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 电压参数:VDS(漏极-源极电压)为600V,VGS(门源电压)为±30V,Vth(门阈电压)为3.5V。
- 电流参数:ID(漏极电流)为34A。
- 技术特性:采用SJ_Multi-EPI技术。
- 导通电阻:在VGS=10V时为80mΩ。
- 封装:TO247。

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电动车驱动模块:由于其适中的电压和电流特性,VBP16R34SFD适用于电动车的电机驱动模块,能够提供可靠的电力输出。
2. 工业自动化控制器:在工业自动化领域中,该晶体管可用于驱动中功率的控制器和执行器,如工厂机械设备和生产线上的电机控制。
3. 太阳能逆变器:用于较小规模的太阳能逆变器模块,将太阳能板产生的直流电转换为交流电,供给家庭和小型商业用电设备。
4. LED照明模块:在LED照明产品中,该产品可用于中功率LED驱动器模块,提供稳定的电力输出,以驱动LED灯珠。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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