推广型号

您现在的位置 > 首页 > 推广型号

AFN2376S23RG-VB 产品详细

产品简介:

产品简介

**AFN2376S23RG-VB** 是由 VBsemi 公司生产的一款单 N 沟道金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET),采用 SOT23-3 封装。该 MOSFET 具有 60V 的漏源电压(VDS)和最大 5.5A 的漏极电流(ID),采用 Trench 技术,适用于需要高效能和低导通电阻的各种应用。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明

- **封装类型**:SOT23-3
- **配置**:单 N 沟道
- **漏源电压 (VDS)**:60V
- **栅源电压 (VGS)**:±20V
- **阈值电压 (Vth)**:1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 33mΩ @ VGS = 4.5V
- 30mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流 (ID)**:5.5A
- **技术**:Trench

领域和模块应用:

应用领域和模块

**AFN2376S23RG-VB** MOSFET 可以在以下领域和模块中得到应用:

1. **消费电子产品**:适用于智能手机、平板电脑和笔记本电脑等设备中的电源管理和负载开关,提供高效的电力转换和电流控制功能。

2. **电源适配器和充电器**:在各种电源适配器和充电器中作为高效的功率开关,确保充电过程的高效能和稳定性。

3. **汽车电子**:用于汽车电子系统中的电源管理和电流控制,例如车灯控制、车身控制模块和娱乐系统。

4. **工业控制**:在工业自动化和控制系统中,用于电源管理和负载开关控制,支持工业设备的高效能运行和稳定性。

5. **LED 驱动器**:适用于 LED 驱动器和照明系统中的电源开关和电流控制,提供高效的能量转换和照明控制功能。

综上所述,AFN2376S23RG-VB 是一款适用于多种高效能和低导通电阻要求的单 N 沟道 MOSFET,广泛应用于消费电子、汽车电子、工业控制和 LED 驱动等领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询