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VBP16R26S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBP16R26S是VBsemi生产的单N沟道MOSFET型号。它具有600V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门极-源极电压(VGS)、3.5V的门极阈值电压(Vth),以及26A的漏极电流(ID)。采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装为TO247。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 门极-源极电压(VGS):30V
- 门极阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):115
- 漏极电流(ID):26A
- 技术:SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电力电子变换器:VBP16R26S适用于各种电力电子变换器,如变频空调、电动汽车驱动系统等,用于实现高效的电能转换和控制。
2. 工业电源设备:由于其高电压和电流特性,该器件可用于工业电源设备中的开关电源、电力调节器等模块,用于稳定供电。
3. 太阳能逆变器:作为太阳能逆变器中的关键部件,VBP16R26S能够将太阳能电池板输出的直流电转换为交流电,用于供电给家庭和商业用途。
4. 电动汽车充电桩:该型号的MOSFET适用于电动汽车充电桩中的功率开关电路,用于控制充电电流和保障充电安全。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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