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VBP16R20SFD 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBP16R20SFD是VBsemi生产的单N沟道MOSFET型号。它具有600V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门极-源极电压(VGS)、3.5V的门极阈值电压(Vth),以及20A的漏极电流(ID)。采用SJ_Multi-EPI技术制造,封装为TO247。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 门极-源极电压(VGS):30V
- 门极阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):175
- 漏极电流(ID):20A
- 技术:SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源开关模块:VBP16R20SFD适用于各种电源开关模块,如电源开关电路、逆变器等,用于稳定电能输出和控制。
2. 工业自动化设备:由于其高压高电流特性,该型号的MOSFET可用于工业自动化设备中的电流控制、开关和调节等功能。
3. 电动工具驱动器:在电动工具中,VBP16R20SFD可用作驱动器中的功率开关装置,用于控制电动机的启停和转速调节。
4. 汽车电子系统:作为汽车电子系统中的关键组件,该型号的MOSFET可用于车载充电桩、电动车辆控制器等模块,用于电力传输和管理。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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