MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBP16R20S 产品详细

产品简介:

产品简介:
型号:VBP16R20S
品牌:VBsemi
封装:TO247
参数:
- Single N
- VDS(V): 600
- VGS(±V): 30
- Vth(V): 3.5
- VGS=10V(mΩ): 160
- ID (A): 20
- Technology: SJ_Multi-EPI

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

详细参数说明:
1. Single N:单N沟道
2. VDS(V): 600 - 饱和漏-源电压
3. VGS(±V): 30 - 栅-源电压(最大)
4. Vth(V): 3.5 - 门阈电压
5. VGS=10V(mΩ): 160 - 在VGS=10V时的漏-源电阻
6. ID (A): 20 - 连续漏极电流
7. Technology: SJ_Multi-EPI - 多重外延结构技术

领域和模块应用:

适用领域和模块:
1. 电源模块:由于其适中的漏-源电压和漏极电流能力,适用于中小功率的电源模块,如开关电源和稳压电源。
2. 工业控制:在工业控制系统中,可用于控制器和驱动器等模块,以控制各种工业设备和机械。
3. 电动汽车:在电动汽车的功率逆变器中,可以用于控制电机的功率开关模块,由于其适中的电压和电流能力。
4. 太阳能逆变器:由于其较高的饱和漏-源电压和漏极电流,适合用于太阳能逆变器以将太阳能电能转换为可用电能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询