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VBP16R11S 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBP16R11S是一款单N沟道场效应晶体管(MOSFET),采用SJ_Multi-EPI技术制造。它具有600V的漏极-源极电压(VDS),30V的栅极-源极电压(VGS),3.5V的门限电压(Vth),以及11A的漏极电流(ID)。该产品采用TO247封装,适用于多种应用场景。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 栅极-源极电压(VGS):30V(正负)
- 门限电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):380
- 漏极电流(ID):11A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO247

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电力电子模块:VBP16R11S适用于电力电子领域的功率开关模块,如逆变器、变频器和开关电源,以实现高效能的能量转换。
2. 电动汽车驱动器:在电动汽车的功率逆变器和驱动器中,该MOSFET可用于控制电动汽车的马达和电池充电系统,以提供高效的动力输出。
3. 太阳能逆变器:由于其高电压和电流能力,VBP16R11S可用于太阳能逆变器中的功率开关电路,以实现太阳能电能的转换和稳定输出。
4. 高频变频器:在工业控制系统和变频驱动器中,该器件可用于高频变频器的功率开关模块,以实现高效的电能转换和精确的频率控制。

这些领域和模块仅是VBP16R11S可能适用的一些示例,实际应用取决于具体的电路设计和要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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