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VBP16R10 产品详细

产品简介:

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VBP16R10是VBsemi生产的单N沟道MOSFET型号。它具有600V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门极-源极电压(VGS)、3.5V的门极阈值电压(Vth),以及10A的漏极电流(ID产品简介:
VBP16R10是VBsemi生产的单N沟道MOSFET型号。它具有600V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门极-源极电压(VGS)、3.5V的门极阈值电压(Vth),以及10A的漏极电流(ID)。采用Plannar技术制造,封装为TO247。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 门极-源极电压(VGS):30V
- 门极阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻(mΩ):1000
- 漏极电流(ID):10A
- 技术:Plannar

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 电源开关:VBP16R10可用作各种类型的电源开关,包括开关电源、电池管理系统和直流-直流转换器,在工业、汽车和消费电子领域得到广泛应用。
2. 电动车充电器:作为电动车充电器中的功率开关器件,该MOSFET可用于控制充电器中的功率转换和调节,实现高效、稳定的电动车充电功能。
3. 太阳能逆变器:VBP16R10适用于太阳能发电系统中的逆变器模块,用于将太阳能电能转换为交流电能,为家庭和商业太阳能系统提供可靠的能源转换功能。
4. 工业自动化设备:应用于工业自动化设备中的电机驱动和控制模块,实现精准的运动控制和高效的能量转换,提高设备的性能和生产效率。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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