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VBP16R07 产品详细

产品简介:

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VBP16R07是VBsemi推出的单N沟道MOSFET,采用Plannar技术制造。它具有600V的漏源极电压(VDS)、30V的栅源电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。该产品采用TO247封装,适用于各种功率电子系统。电源管理、工业控制、汽车电子、太阳能逆变器以及LED照明系统等多个领域和模块,具有广泛的应用前景和市场需求。

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产品参数:

详细参数说明:

1. 漏源极电压(VDS):600V
2. 栅源电压(VGS):±30V
3. 阈值电压(Vth):3.5V
4. 在VGS=10V时的漏源极电阻(mΩ):1200
5. 最大漏极电流(ID):7A
6. 技术:Plannar

领域和模块应用:

适用领域和模块:

1. 电源管理模块:由于VBP16R07具有较高的漏源极电阻和较大的封装尺寸,适用于电源管理模块中的开关电源、DC-DC转换器等,实现高效的能量转换和精确的电源管理。

2. 工业控制系统:在工业控制领域,该型号的MOSFET可以应用于各种控制系统中,如电机驱动器、温度控制器、PLC等,提供可靠的功率控制和调节功能。

3. 汽车电子系统:VBP16R07适用于汽车电子系统中的功率控制模块,如车载电池管理系统、车载充电器等,实现高效的能量转换和电力管理。

4. 太阳能逆变器:该型号的MOSFET适用于太阳能逆变器中,能够实现高效的能量转换和稳定的输出,提高太阳能发电系统的能量利用率。

5. LED照明系统:VBP16R07可用于LED照明系统中的功率驱动模块,提供稳定可靠的电源和高效的能量转换,满足不同场景下的照明需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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