VBP16R04 - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：

产品简介：VBsemi的VBP16R04是一款TO247封装的N沟道场效应晶体管，采用Plannar技术制造。它具有600V的漏极-源极电压（VDS），4A的漏极电流（ID），30V的门源电压（VGS），3.5V的门阈电压（Vth），以及2000mΩ的导通电阻（VGS=10V）。这款产品适用于低功率应用场合。

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产品参数：

详细参数说明：
- 电压参数：VDS（漏极-源极电压）为600V，VGS（门源电压）为±30V，Vth（门阈电压）为3.5V。
- 电流参数：ID（漏极电流）为4A。
- 技术特性：采用Plannar技术。
- 导通电阻：在VGS=10V时为2000mΩ。
- 封装：TO247。

领域和模块应用：

适用领域和模块举例：
1. 电源开关模块：适用于低功率的电源开关模块，如家用电源适配器、小型UPS等。
2. 低功率变频器：用于低功率的变频器模块，如家用空调、电风扇等。
3. 汽车电子：用于汽车电子系统中的低功率模块，如车内照明、车载充电器等。
4. LED照明控制器：在低功率LED照明产品中，可用于驱动LED灯珠，如室内照明灯具、广告灯箱等。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持：

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