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VBP16R02 产品详细

产品简介:

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VBsemi 的 VBP16R02 是一款单 N 型 MOSFET,具有 600V 的漏极-源极电压(VDS),30V 的门源极电压(VGS,正负),和 3.5V 的阈值电压(Vth)。它采用 Plannar 技术,并且封装为 TO247。

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产品参数:

详细参数说明:

- 漏极-源极电压(VDS): 600V
- 门源极电压(VGS,正负): ±30V
- 阈值电压(Vth): 3.5V
- VGS=10V 时的导通电阻(mΩ): 4000
- 最大漏极电流(ID): 2A

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

- 高功率电源模块:适用于高功率电源模块中的电源开关和功率控制,例如大型工业设备、电力电子系统等。
- 高频电源转换器:在高频电源转换器中,可用作开关管以实现高效的电源转换和功率控制,如通信基站、无线充电器等。
- 汽车电子系统:可用于汽车电子系统中的电源管理和驱动控制,例如电动汽车的电机驱动器和车载充电器。
- 高温环境应用:由于 TO247 封装具有良好的散热性能,适用于高温环境下的工业控制系统、冶金设备等领域。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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