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VBP16R01 产品详细

产品简介:

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VBP16R01是VBsemi品牌的单N沟道MOSFET器件,具有高性能和可靠性。采用Plannar技术制造,封装为TO247。该器件具有600V的漏极-源极电压(VDS)、30V的门源电压(VGS)、3.5V的阈值电压(Vth),在VGS=10V时的导通电阻为6500mΩ,最大漏极电流(ID)为1A。

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产品参数:

详细参数说明:

- 产品型号:VBP16R01
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道MOSFET
- 漏极-源极电压(VDS):600V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的导通电阻:6500mΩ
- 最大漏极电流(ID):1A
- 制造工艺:Plannar
- 封装形式:TO247

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:

1. 高压电源模块:由于VBP16R01具有较高的漏极-源极电压,适用于各种高压电源模块,如高压直流电源、X射线发生器等。
2. 汽车电子:在汽车电子系统中,该器件可用于车载电子模块的功率开关控制,如车载充电桩、车载娱乐系统等。
3. 工业控制系统:VBP16R01适用于工业控制系统中的电机驱动、开关控制和电力调节模块,提供可靠的电力控制和保护。
4. 恒温恒湿设备:在恒温恒湿设备中,该器件可用于功率开关控制模块,如空调系统、恒温恒湿箱等,实现对设备的稳定运行和高效控制。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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