参数:
- 单N型场效应晶体管
- 额定漏极-源极电压VDS(V): 650
- 门极-源极电压VGS(±V): 30
- 阈值电压Vth(V): 3.5
- 门极-源极电压为10V时的导通电阻(mΩ): 19
- 最大漏极电流ID (A): 96
- 技术:SJ_Multi-EPI
封装:TO247
举例说明:
1. 高频电源模块:由于其低导通电阻和高频率特性,VBP165R96SFD适用于高功率、高频率的电源模块,可用于设计高效率的开关电源、变频器和无线充电设备。
2. 电力传输系统:在电力传输和分配系统中,VBP165R96SFD可用于设计高功率的开关设备,如智能电网、变电站和电力配电柜,实现电力的安全传输和分配。
3. 工业驱动器:VBP165R96SFD可用作功率开关器件,用于各种工业驱动器,如电机驱动器、变频空调系统和工业机器人,帮助实现高效能源管理和精密控制。
4. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器中,VBP165R96SFD可用作高功率开关器件,用于太阳能电池板的电能转换和逆变,提高逆变器的效率和可靠性。
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