MOSFET

您现在的位置 > 首页 > MOSFET

VBP165R76SFD 产品详细

产品简介:

VBP165R76SFD是一款高性能的单极性 N 型功率半导体器件,具有优异的高压、高功率特性,适用于各种电力控制和转换应用。其低漏极-源极电阻和高额定漏极电流使其在不同领域和模块中发挥重要作用。为高压、高功率电力控制和转换提供了可靠的解决方案,推动了工业和能源领域的发展和进步。

文件下载

下载PDF 文档
立即下载

产品参数:

参数:

- 单极性 N 型
- 额定漏极-源极电压(VDS):650V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V 时的漏极-源极电阻(mΩ):23
- 额定漏极电流(ID):76A
- 技术:SJ_Multi-EPI
- 封装:TO247

领域和模块应用:


详细参数说明:

1. 工业电力控制模块:用于工业电力控制系统中的功率开关和控制器,如电机驱动器、变频器和电力供应器等。

2. 高压直流电源:适用于需要高压直流电源的应用,如医疗设备、半导体生产设备和通信基站等。

3. 太阳能逆变器:用作太阳能光伏逆变器中的功率开关,将光伏电池板产生的直流电转换为交流电,供电网使用。

4. 电动汽车充电系统:用于电动汽车充电系统中的功率开关和控制器,实现对充电过程的高效控制和管理。

5. 高效率电源系统:适用于高效率电源系统中的开关电源模块,如服务器电源、工业电源和通信基站电源等。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

打样申请

序列号验证

在线咨询

电话咨询

400-655-8788

微信咨询

一键置顶

打样申请
序列号验证
在线咨询
电话咨询
微信咨询