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VBP165R67SE 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBP165R67SE是VBsemi品牌的单N沟道MOSFET型号,采用SJ_Deep-Trench技术制造,具有高性能和可靠性。封装为TO247,适用于各种高功率应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- VDS(V): 650V
- VGS(±V): ±30V
- Vth(V): 3.5V
- 在VGS=10V时,漏极-源极电阻为36mΩ
- 最大漏极电流ID为67A

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
1. 电动汽车:VBP165R67SE适用于电动汽车的电机驱动控制模块,具有高电压和大电流的特性,可提供足够的功率输出。
2. 工业变频器:该MOSFET可用于工业变频器中的功率开关模块,有助于提高工厂设备的运行效率和稳定性。
3. 太阳能发电系统:VBP165R67SE适用于太阳能发电系统中的逆变器模块,能够有效地将太阳能转化为电能,并输出到电网中供电使用。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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