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VBP165R64SFD 产品详细

产品简介:

VBP165R64SFD是一款Single N结构的高功率MOSFET,具有650V的额定漏极-源极电压、低阈值电压和低漏极-源极电阻。采用SJ_Multi-EPI技术制造,TO247封装适用于各种高功率应用场景。

产品简介:
VBP165R64SFD是VBsemi推出的一款高性能功率MOSFET产品,具有优异的电压承受能力和电流传导能力。其采用先进的SJ_Multi-EPI技术制造,保证了产品的稳定性和可靠性,是各种高功率电子设备的理想选择。适用于需要高功率承受能力、低阈值电压和低漏极-源极电阻的场景,包括工业变频器、高性能电源模块、汽车电力系统等领域。

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产品参数:

参数:
- 结构类型:Single N
- 额定漏极-源极电压(VDS):650V
- 门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 漏极-源极电阻(VGS=10V):36 mΩ
- 漏极电流(ID):64A
- 技术:SJ_Multi-EPI
封装:TO247

领域和模块应用:

举例说明:
1. 工业变频器:
  由于VBP165R64SFD具有高额定漏极-源极电压和大电流传导能力,适合用作工业变频器中的功率开关元件,用于实现对电机的精确控制和调速功能。

2. 高性能电源模块:
  在高性能电源模块中,需要使用高性能的功率MOSFET来实现高效的功率转换。VBP165R64SFD的低阈值电压和低漏极-源极电阻特性使其成为高性能电源模块中的理想选择。

3. 汽车电力系统:
  在汽车电力系统中,需要使用高功率MOSFET来实现对各种电力系统的精确控制和调节。VBP165R64SFD的TO247封装和高功率特性使其适用于汽车电力系统中的功率开关模块。

*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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