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VBP165R43SE 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBP165R43SE型号是一款单N沟道MOSFET,具有650V的漏极-源极电压(VDS),30V的门-源电压(VGS),以及3.5V的阈值电压(Vth)。该型号采用SJ_Deep-Trench技术制造,封装为TO247,适用于各种高压应用场景。

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产品参数:

详细参数说明:
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 门-源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):58
- 漏极电流(ID):43A
- 技术:SJ_Deep-Trench

领域和模块应用:

应用示例:
该产品适用于多个领域和模块,例如:
1. 电力输配设备:由于其高漏极-源极电压和大漏极电流,可用于电力输配设备中的开关器件,如高压开关和断路器。
2. 工业电机驱动:可用作工业电机控制系统中的关键元件,实现高效的电机控制和调节。
3. 太阳能逆变器:由于其高电压容忍度和低漏极-源极电阻,适用于太阳能逆变器的设计,实现太阳能电能的转换和利用。
4. 汽车电子系统:可用于汽车电子系统中的电源管理和驱动器,如电动汽车的功率控制器和电池管理系统。

以上仅为一些示例,实际应用取决于具体的设计和需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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