产品简介：
型号：VBP165R42SFD
品牌：VBsemi
所属公司：深圳市微碧半导体有限公司
封装：TO247
详细参数说明：
1. Single N：单N沟道
2. VDS(V): 650 - 饱和漏-源电压
3. VGS(±V): 30 - 栅-源电压（最大）
4. Vth(V): 3.5 - 门阈电压
5. VGS=10V(mΩ): 56 - 在VGS=10V时的漏-源电阻
6. ID (A): 42 - 连续漏极电流
7. Technology: SJ_Multi-EPI - 多重外延结构技术
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参数：
- Single N
- VDS(V): 650
- VGS(±V): 30
- Vth(V): 3.5
- VGS=10V(mΩ): 56
- ID (A): 42
- Technology: SJ_Multi-EPI
适用领域和模块：
1. 电源模块：由于其较高的漏-源电压和漏极电流，适用于电源模块，如直流-直流转换器和交流-直流逆变器。
2. 高频开关电路：门阈电压较低，适合用于高频开关电路，如射频功率放大器和射频开关。
3. 汽车电子：可用于汽车电子模块，如发动机控制单元(ECU)和电动车辆的功率逆变器。
4. 工业自动化：在工业自动化中，可用于控制器、伺服驱动器和工业电源等设备。
5. 太阳能逆变器：由于其高漏-源电压和漏极电流能力，适合用于太阳能逆变器以将太阳能电能转换为可用电能。
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