产品简介：VBsemi的VBP165R41SFD是一款TO247封装的N沟道场效应晶体管，采用SJ_Multi-EPI技术制造。它具有650V的漏极-源极电压（VDS），41A的漏极电流（ID），30V的门源电压（VGS），3.5V的门阈电压（Vth），以及62mΩ的导通电阻（VGS=10V）。这款产品适用于需要高电压和高电流的场合，如功率电子模块和驱动器。
立即下载
详细参数说明：
- 电压参数：VDS（漏极-源极电压）为650V，VGS（门源电压）为±30V，Vth（门阈电压）为3.5V。
- 电流参数：ID（漏极电流）为41A。
- 技术特性：采用SJ_Multi-EPI技术。
- 导通电阻：在VGS=10V时为62mΩ。
- 封装：TO247。
适用领域和模块举例：
1. 工业电源模块：由于其高电压和高电流特性，VBP165R41SFD适用于工业电源模块，可用于变频器、UPS（不间断电源系统）和电机驱动器等设备。
2. 太阳能逆变器：在太阳能系统中，该晶体管可以用于逆变器模块，将太阳能电池板收集的直流电转换为交流电。
3. 电动车充电器：用于电动车充电器中的功率开关模块，支持高电压和高电流的快速充电。
4. 高性能电源模块：在需要高性能和高可靠性的电源模块中，如服务器电源、通信基站电源等场合，该产品也能发挥作用。
* 如果您对产品有任何问题，请填写表格提交，我们会24小时内回复您
* 如果您需要申请我司样品，请填写表格提交，我们会24小时内回复您
中文
English
返回上级页面
