产品简介:
VBsemi推出的VBP165R38SFD是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术制造。它具有650V的漏源极电压(VDS)、30V的栅源电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。该型号的MOSFET采用TO247封装,适用于工业电源、汽车电子、太阳能逆变器、电源管理以及LED照明等多个领域和模块,具有广泛的应用前景和市场需求。
详细参数说明:
1. 漏源极电压(VDS):650V
2. 栅源电压(VGS):±30V
3. 阈值电压(Vth):3.5V
4. 在VGS=10V时的漏源极电阻(mΩ):67
5. 最大漏极电流(ID):38A
6. 技术:SJ_Multi-EPI
适用领域和模块:
1. 工业电源模块:VBP165R38SFD的高漏源极电压和大漏极电流使其成为工业电源模块的理想选择。它可以用于各种工业应用,如变频器、电焊机、UPS等。
2. 汽车电子系统:该MOSFET的高性能和可靠性使其适用于汽车电子系统中的功率控制模块,如电动汽车的驱动器、充电桩等。
3. 太阳能逆变器:VBP165R38SFD的高漏源极电压和低漏源极电阻使其适用于太阳能逆变器中,能够提供高效的能量转换和稳定的输出。
4. 电源管理模块:在电源管理领域,该型号的MOSFET可用于开关电源、DC-DC转换器等模块中,实现高效能量转换和精确的电源管理。
5. LED照明系统:VBP165R38SFD可用于LED照明系统中的功率驱动模块,提供稳定的电源和高效的能量转换,满足不同场景下的照明需求。
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