产品简介：
VBsemi的VBP165R36S是一款高性能的单N沟道功率场效应晶体管（FET），适用于多种应用场景。该产品采用了SJ_Multi-EPI技术，具有优异的性能和可靠性，广泛应用于需要高电压、高电流和高性能的功率控制和开关应用，包括工业控制、能源转换、电动车辆等领域。
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详细参数说明：
- 产品型号：VBP165R36S
- 品牌：VBsemi
- 公司：深圳市微碧半导体有限公司
- 封装：TO247
- 类型：单N沟道功率场效应晶体管（FET）
- 额定电压（VDS）：650V
- 最大门源电压（VGS）：±30V
- 阈值电压（Vth）：3.5V
- VGS=10V时的导通电阻（mΩ）：75
- 额定电流（ID）：36A
- 技术：SJ_Multi-EPI
适用领域和模块举例：
1. **工业电源模块**：由于VBP165R36S具有高电压和高电流特性，适用于工业电源模块，如变频器、电动汽车充电桩等。
2. **UPS系统**：该产品在UPS（不间断电源）系统中可用于输出级功率开关，确保系统稳定性和可靠性。
3. **太阳能逆变器**：VBP165R36S的高性能使其成为太阳能逆变器中的关键元件，用于将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电。
4. **电动汽车驱动系统**：作为电动汽车的驱动模块的一部分，该产品能够承受高电压和高电流，提供可靠的功率输出。
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