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VBP165R34SFD 产品详细

产品简介:

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VBsemi推出的VBP165R34SFD是一款高性能的单N沟道MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术制造。它具有650V的漏源极电压(VDS)、30V的栅源电压(VGS)、以及3.5V的阈值电压(Vth)。该型号的MOSFET采用TO247封装,适用于工业电源、汽车电子、太阳能逆变器、电源管理以及LED照明等多个领域和模块,具有广泛的应用前景和市场需求。

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产品参数:

详细参数说明:

1. 漏源极电压(VDS):650V
2. 栅源电压(VGS):±30V
3. 阈值电压(Vth):3.5V
4. 在VGS=10V时的漏源极电阻(mΩ):80
5. 最大漏极电流(ID):34A
6. 技术:SJ_Multi-EPI

领域和模块应用:

适用领域和模块:

1. 工业电源模块:VBP165R34SFD适用于工业电源模块,例如在变频器、电焊机、UPS等方面的应用中,提供稳定的功率输出。

2. 汽车电子系统:在汽车电子领域,该型号的MOSFET可以应用于电动汽车的驱动器、充电桩以及其他功率控制模块,实现高效的能量转换和电力管理。

3. 太阳能逆变器:VBP165R34SFD适用于太阳能逆变器中,能够提供高效的能量转换和稳定的输出,帮助太阳能发电系统实现更高的能量利用率。

4. 电源管理模块:在电源管理领域,该型号的MOSFET可用于开关电源、DC-DC转换器等模块中,实现高效的能量转换和精确的电源管理。

5. LED照明系统:VBP165R34SFD可用于LED照明系统中的功率驱动模块,提供稳定的电源和高效的能量转换,满足不同场景下的照明需求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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