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VBP165R25SE 产品详细

产品简介:

产品简介:VBsemi 的 VBP165R25SE 是一款单 N 沟道场效应晶体管,具有优秀的性能和耐压能力,适用于高压和高电流应用场合。

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产品参数:

详细参数说明:
- 品牌:VBsemi
- 型号:VBP165R25SE
- 类型:单 N 沟道场效应晶体管
- 最大漏极-源极电压(VDS):650V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅极-源极电压为 10V 时的导通电阻(mΩ):115
- 最大漏极电流(ID):25A
- 技术:SJ_Deep-Trench
- 封装:TO247

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 工业高压电源:VBP165R25SE 的高耐压能力和大电流承受能力使其适用于设计工业高压电源模块,确保稳定可靠的电源输出。
2. 高功率电机驱动器:在需要处理高功率电流的电机驱动器中,可作为功率开关器件,实现电机的高效率和精确控制。
3. 汽车电子系统:在汽车电子系统中,可用于设计高压和大电流的电源管理模块和驱动器,提供可靠的动力输出。
4. 电力传输和变换器:适用于电力传输和变换器系统中的功率转换和控制电路,提供高效率和可靠性的能量转换解决方案。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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