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VBP165R18 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi 的 VBP165R18 是一款 Single N 型 MOSFET,具有以下特点:
- 品牌:VBsemi
- 封装:TO247
- 技术:平面工艺
- 最大漏极-源极电压(VDS):650V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在 VGS=10V 时的导通电阻:430 mΩ
- 最大漏极电流(ID):18A

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBP165R18
- 产品类型:Single N 型 MOSFET
- 品牌:VBsemi
- 封装类型:TO247
- 技术:平面工艺
- 最大漏极-源极电压(VDS):650V
- 最大栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在 VGS=10V 时的导通电阻:430 mΩ
- 最大漏极电流(ID):18A

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 工业电源模块:由于具有较高的漏极-源极电压和漏极电流能力,VBP165R18 可以用于工业电源模块,提供稳定可靠的电源输出。
2. 电动汽车充电桩:在电动汽车充电桩中,需要高压和高电流的开关器件来控制充电流,VBP165R18 的参数使其成为一种适用于这种应用的理想选择。
3. 变频空调系统:VBP165R18 的低导通电阻和高电压能力使其适用于变频空调系统中的功率开关模块,帮助实现能效更高的空调系统设计。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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