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VBP165R15S 产品详细

产品简介:

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VBP165R15S是VBsemi推出的单N沟道场效应管(MOSFET)产品,具有可靠性高、性能优越的特点。采用SJ_Multi-EPI工艺制造,封装为TO247,适用于各种高功率电子设备和电路应用。

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产品参数:

详细参数说明:

- 产品型号:VBP165R15S
- 品牌:VBsemi
- 结构类型:单N沟道场效应管(MOSFET)
- 额定电压(VDS):650V
- 最大门源电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 10V下漏极-源极电阻(mΩ):300
- 额定漏极电流(ID):15A
- 工艺技术:SJ_Multi-EPI
- 封装类型:TO247

领域和模块应用:

应用领域举例:

1. 电力电子模块:VBP165R15S适用于各种电力电子模块,如逆变器、整流器和电源开关,可用于工业控制、电力传输和能源转换等领域。

2. 高频电路:在通信设备、雷达系统和无线电频段的电路中,VBP165R15S可作为功率放大器和开关元件使用,实现信号处理和频率转换。

3. 电动汽车控制:作为电动汽车的电力控制器中的关键部件,VBP165R15S能够提供高效的功率转换和电流调节,确保电动汽车的动力系统稳定运行。

4. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,VBP165R15S可用于逆变器模块中,将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电,供给家庭和工业用电。

5. 工业自动化:在各类工业控制系统和自动化设备中,VBP165R15S可用于电机驱动、智能传感器和机器人控制等应用,提高生产效率和精确度。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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