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VBP165R12 产品详细

产品简介:

产品简介详:
VBP165R12是VBsemi品牌推出的单N沟道场效应晶体管(MOSFET)。具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)和3.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=10V时,具有800mΩ的导通电阻,可承受最大12A的漏极电流(ID)。采用Plannar技术,封装为TO247。

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBP165R12
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道场效应晶体管(MOSFET)
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:800mΩ
- 最大漏极电流(ID):12A
- 技术:Plannar
- 封装:TO247

领域和模块应用:

适用领域和模块示例:
该产品适用于以下领域和模块:
1. 工业电源系统:用于工业自动化设备、工厂机器人、电动车辆充电桩等领域的功率开关控制。
2. 太阳能逆变器:在太阳能发电系统中,作为逆变器的关键组件,将直流电转换为交流电。
3. 高性能电源模块:用于高端服务器、数据中心和通信设备等领域的高性能电源控制。
4. 电动车辆驱动器:在电动汽车、电动自行车和电动滑板车中,用作电动车辆驱动器的功率开关控制元件。
5. 工业自动化控制:用于工业自动化控制系统、机器人和电动工具中的功率开关控制。

这些领域和模块需要高功率、高可靠性的功率开关元件来实现功率控制和转换功能,而VBP165R12正是满足这些要求的理想选择。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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