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VBP165R11S 产品详细

产品简介:

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VBP165R11S是VBsemi品牌的单N沟道功率MOSFET,采用SJ_Multi-EPI技术,具有高性能和可靠性。适用于各种电源和功率控制应用。

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产品参数:

详细参数说明:
- 型号:VBP165R11S
- 品牌:VBsemi
- 封装:TO247
- 单N沟道功率MOSFET
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- VGS=10V时的导通电阻:420 mΩ
- 漏极电流(ID):11A

领域和模块应用:

应用领域和模块示例:
1. 工业电源:VBP165R11S可用于工业电源模块,如高频开关电源和电机驱动器,提供高效能耗和稳定的电力输出。
2. 电动车辆:适用于电动车辆的电机控制器和电池管理系统,帮助提高车辆的动力性能和续航里程。
3. 太阳能逆变器:在太阳能逆变器模块中,该产品可用于将太阳能转换为电能,并通过逆变器进行输送,实现清洁能源的利用。
4. LED照明:用于LED照明驱动模块,提供高效的电源管理和亮度控制,应用于室内和室外照明领域。
5. 工业自动化:在工业自动化设备中,VBP165R11S可用于各种电机控制、机器人系统和自动化生产线。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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