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VBP165R11 产品详细

产品简介:

VBP165R11产品简介:

VBP165R11是VBsemi生产的单N型功率MOSFET,具有高性能和可靠性。该产品适用于各种功率电子应用,提供稳定可靠的电气特性。

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产品参数:

VBP165R11详细参数说明:

- 型号:VBP165R11
- 品牌:VBsemi
- 封装:TO247
- 类型:单N型功率MOSFET
- 额定电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 在VGS=10V时的漏极-源极电阻(mΩ):800
- 漏极电流(ID):11A
- 技术:平面工艺(Plannar)

领域和模块应用:

应用举例:

1. 工业电力系统:VBP165R11可用于工业电力系统中的开关电源、逆变器和变频器,提供高效稳定的电力转换和控制功能。

2. 电动汽车控制器:在电动汽车控制器中,该产品可作为功率开关器件,用于电机控制和电动车辆的动力输出,具有优异的功率密度和热稳定性。

3. 太阳能发电系统:在太阳能发电系统中,VBP165R11可用作太阳能逆变器的关键组件,将光伏电池板产生的直流电转换为交流电,供电给家庭和工业设施。

以上仅为示例,实际应用取决于具体设计和系统要求。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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