VBP165R10 - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：

**产品简介：**
VBP165R10是VBsemi推出的单极N型场效应晶体管。具有650V的漏源极电压（VDS）、30V的栅源极电压（VGS）、3.5V的阈值电压（Vth），以及在栅源极电压为10V时的栅源极电阻和10A的漏极电流。采用Plannar技术制造，封装为TO247，适用于各种电源和电路模块。

**详细参数说明：**
- VDS(V): 漏源极电压，650V
- VGS(±V): 栅源极电压，±30V
- Vth(V): 阈值电压，3.5V
- VGS=10V(mΩ): 栅源极电阻（VGS=10V），1100mΩ
- ID (A): 漏极电流，10A
- Technology：制造技术，Plannar
- 封装：TO247

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产品参数：

产品型号：VBP165R10
品牌：VBsemi
参数：
- 单极N型
- VDS(V): 650
- VGS(±V): 30
- Vth(V): 3.5
- VGS=10V(mΩ): 1100
- ID (A): 10
- Technology：Plannar
- 封装：TO247

领域和模块应用：

**适用领域和模块示例：**
1. **电力电子模块**：由于VBP165R10具有高漏源极电压和适中的栅源极电阻，适用于各种电力电子模块，如开关电源、逆变器、功率放大器等。
2. **电动车电源系统**：在电动车的电源系统中，需要承受高电压和大电流的元件，VBP165R10可以作为电动车的功率开关器件。
3. **工业自动化设备**：在各种工业自动化设备中，需要控制电流和电压的元件，VBP165R10可以用于电机驱动器、工业控制器等模块中。
4. **太阳能逆变器**：在太阳能发电系统中，需要将直流电转换为交流电，VBP165R10可以用作太阳能逆变器中的关键组件，实现能源转换和电力控制。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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