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VBP165R08 产品详细

产品简介:

产品简介:
VBsemi的VBP165R08是一款Single N场效应管,采用Plannar技术制造。具有650V的漏极-源极电压(VDS)、30V的栅极-源极电压(VGS)和3.5V的阈值电压(Vth)。在VGS=10V时,漏极-源极电阻(RDS(on))为1000mΩ,最大漏极电流(ID)为8A。封装形式为TO247。

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产品参数:

详细参数说明:
- 电压参数:漏极-源极电压(VDS)为650V,栅极-源极电压(VGS)为±30V,阈值电压(Vth)为3.5V。
- 电流参数:在VGS=10V时,漏极-源极电阻(RDS(on))为1000mΩ,最大漏极电流(ID)为8A。
- 技术:采用Plannar技术制造。

领域和模块应用:

适用领域和模块举例:
1. 工业电源模块:由于VBP165R08具有较高的漏极-源极电压和电流能力,可用于工业电源模块中的高功率开关电源或逆变器。
2. 高频调制:其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块,如广播或通信系统中的功率放大器。
3. 太阳能逆变器:在可再生能源领域,VBP165R08可用于太阳能逆变器中的功率开关模块,将太阳能电能转换为可用电能。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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