VBP165R08 - VBsemi MOS管制造商

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产品简介：

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VBsemi的VBP165R08是一款Single N场效应管，采用Plannar技术制造。具有650V的漏极-源极电压（VDS）、30V的栅极-源极电压（VGS）和3.5V的阈值电压（Vth）。在VGS=10V时，漏极-源极电阻（RDS(on)）为1000mΩ，最大漏极电流（ID）为8A。封装形式为TO247。

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产品参数：

详细参数说明：
- 电压参数：漏极-源极电压（VDS）为650V，栅极-源极电压（VGS）为±30V，阈值电压（Vth）为3.5V。
- 电流参数：在VGS=10V时，漏极-源极电阻（RDS(on)）为1000mΩ，最大漏极电流（ID）为8A。
- 技术：采用Plannar技术制造。

领域和模块应用：

适用领域和模块举例：
1. 工业电源模块：由于VBP165R08具有较高的漏极-源极电压和电流能力，可用于工业电源模块中的高功率开关电源或逆变器。
2. 高频调制：其较低的漏极-源极电阻使其适用于高频调制模块，如广播或通信系统中的功率放大器。
3. 太阳能逆变器：在可再生能源领域，VBP165R08可用于太阳能逆变器中的功率开关模块，将太阳能电能转换为可用电能。

*请注意：以上只是示例应用场景，具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时，请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

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