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VBP165R04 产品详细

产品简介:

**产品简介:**
VBP165R04是由VBsemi生产的单N沟道MOSFET,采用Plannar技术制造,封装为TO247。该产品具有高达650V的漏极-源极电压(VDS),具有较低的导通电阻,并能够承受高电流负载。适用于各种要求高功率开关和电源管理的场合。

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产品参数:

**详细参数说明:**
- 品牌:VBsemi
- 型号:VBP165R04
- 类型:Single N 沟道 MOSFET
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅极-源极电压为10V时的导通电阻:2200 mΩ
- 最大漏极电流(ID):4A
- 技术:Plannar
- 封装:TO247

领域和模块应用:

**适用领域和模块举例:**
1. **工业电源模块**:VBP165R04适用于工业电源模块,如交流-直流转换器、直流-直流转换器等。其高耐压和较低的导通电阻特性使其能够在工业环境中提供可靠的功率开关功能。

2. **电动汽车充电桩**:在电动汽车充电桩中,该型号的MOSFET可用于电动汽车充电桩的电源管理和功率开关功能。其高电压和高电流特性使其能够承受充电桩中的高电压和电流负载。

3. **UPS(不间断电源)系统**:在UPS系统中,VBP165R04可用于UPS系统的功率开关电路,确保在断电时提供持续的电力供应。其高耐压和高电流特性使其成为UPS系统中的重要组成部分。

4. **工业驱动器**:在工业驱动器中,该型号的MOSFET可用于控制各种电机、驱动器和工业设备。其高电压和低导通电阻特性使其能够承受工业环境中的高电压和电流负载。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

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