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VBP165R02 产品详细

产品简介:

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VBsemi VBP165R02 是一款单N沟道功率场效应晶体管(MOSFET),采用 Plannar 技术,适用于高性能功率电子应用。该产品具有650V的漏极-源极电压(VDS),2A的漏极电流(ID),以及30V的栅极-源极电压(VGS)。封装为TO247。

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产品参数:

详细参数说明:
- 产品型号:VBP165R02
- 品牌:VBsemi
- 类型:单N沟道功率场效应晶体管(MOSFET)
- 技术:Plannar
- 漏极-源极电压(VDS):650V
- 栅极-源极电压(VGS):±30V
- 阈值电压(Vth):3.5V
- 栅极-源极电压为10V时的导通电阻(mΩ):4500mΩ
- 漏极电流(ID):2A
- 封装:TO247

领域和模块应用:

应用领域和模块示例:
该产品适用于以下领域和模块:
1. 电源开关模块:由于具有较高的漏极-源极电压和漏极电流能力,可用于电源开关模块,如电源逆变器和开关电源等。
2. LED照明驱动:适用于LED照明驱动电路中的功率开关控制,帮助实现LED照明系统的高效能和稳定性。
3. 汽车电子模块:可用于汽车电子模块中的电动汽车充电控制、电机驱动和电池管理等功能。
4. 工业自动化设备:用于工业自动化设备中的电力开关和电流控制,提高设备的可靠性和效率。

以上是部分示例,该产品还可应用于其他需要高性能功率开关的领域和模块中。
*请注意:以上只是示例应用场景,具体的应用取决于系统设计的要求和条件。在使用该器件时,请查阅其数据手册以获取详细的技术规格和特性

技术支持:

* 如果您对产品有任何问题,请填写表格提交,我们会24小时内回复您

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